射頻磁控濺射鍍膜裝置.    型號：MHY-13452

射頻磁控濺射鍍膜裝置. 主要用途：本設(shè)備主要用于大院校研究和開發(fā)納米單層膜；如各種硬質(zhì)膜、金屬膜；也可以是非金屬、化合物等薄膜材料。可以行直接濺射，亦可以實(shí)現(xiàn)反應(yīng)濺射。

主要點(diǎn)：結(jié)構(gòu)簡捷、操作簡便，真空度維護(hù)，安可靠。
鍍膜機(jī)應(yīng)安裝在干凈無塵埃、無腐蝕性氣體的室內(nèi)，并具備清潔水源、及220V的穩(wěn)定電壓等條件的地方。

1、地面的基本水平度要經(jīng)過調(diào)整，不得低不平；

2、環(huán)境溫度：10℃～30℃；

3、相對濕度：不大于75%；

4、耗水量（水溫度≤25℃，2.5Kg≥水壓≥1.5Kg）：約0.2T/h；

5、水質(zhì)要求：

矽酸硬度<6度，PH值：7－8，電導(dǎo)率：200us/cm,沉積率：<200mg/L。

6、電壓： 220V，50HZ， 

電壓波動(dòng)范圍： 198～231V；

頻率波動(dòng)范圍：49～51Hz;

7、水壓：0.3～1Kg/cm2或0.03～0.1MPa/cm2;

8、充入氣體純度99.9%或以上;

9、鍍膜用耗材純度99.9%或以上。

設(shè)備規(guī)格參數(shù)
1.1、濺射處理室： 
       1、鐘罩：內(nèi)徑225mm×度260mm；
       2、試樣臺：直徑80mm（zui大）；
       3、試樣旋轉(zhuǎn)：靜止；
       4、擋板：手動(dòng)；
       5、襯底加熱器：不銹鋼加熱器（DC24V）； 
       6、襯底溫度范圍：室溫～200℃；
       7、襯底可調(diào)距離：20mm～60mm；
       8、濺射室限真空：0.5Pa
1.2、真空系統(tǒng)：
       1、抽氣系統(tǒng)：由機(jī)械泵組成的真空系統(tǒng)；抽氣速率：4升/S
       2、真空檢測：電阻真空計(jì)、電阻規(guī)；
       3、常用真空度：1～20Pa
       4、操作：手動(dòng)
1.3、濺射電源：
1、射頻電源：頻率13.560MHZ,率：500W，用表示； 
2、阻抗匹配器范圍：（2.7～45）Ω-j（0～70）Ω； 
3、供電：AC 220V；
4、冷卻方式：風(fēng)冷；
  1.4、 磁控靶：
1、靶材直徑：Ф50mm、 個(gè)磁靶；
2、靶材厚度：3～6mm；
1.5、氣系統(tǒng)：2路轉(zhuǎn)子量計(jì)氣，
1.6、電源要求：AC 220V  50Hz  10A 
1.7、氣體要求：氬氣--純度99.9%(樣品有殊要求時(shí)使用純)
1.8、冷卻要求：靶體水冷，濺射電源風(fēng)冷
1.9、體積重量：體積：L550mm×W680mm×H1480mm；約120kg